💾 Global Memory Weekly

2026/04/27

周期定位:存储上行—产能利用率峰值期

当前处于存储上行周期盈利高峰期,距周期顶部约2-3个季度。三星/SK海力士正在大规模扩产,但产能开出仍需时间,供需缺口预计持续至2026年末。

报告日期:2026年4月27日(周日)

数据来源:TrendForce / 季度财报 / Reuters

1. Executive Summary

HBM存储上行SK海力士Q1营业利润录得₩37.5万亿(约$26B),71.8%利润率创历史记录——存储周期已进入盈利高峰期,三大厂商正加速扩产但产能开出需12-18个月,时滞效应支撑价格高位延续
DRAMNANDTrendForce最新预测Q2 DRAM合约价+58-63% QoQ、NAND+70-75% QoQ——本轮涨价由AI服务器需求驱动,传导至消费级仍有时滞(1-2个季度),但入门手机/PC已出现规格下调潮
三星SK海力士美光存储三足鼎立格局重塑:三星Q1存储收入$50.4B(DRAM $37B+NAND $13.4B)创历史新高,但HBM进展慢于对手;SK海力士在HBM3E供应NVIDIA H200上领先;美光FY2026指引P/E仅6.5x,估值最具吸引力

2. 关键数据速览

指标数值环比/同比
----------------------
SK海力士Q1营收₩52.6万亿(~$37B)📈 +60% QoQ,+198% YoY
SK海力士Q1营业利润₩37.5万亿(~$26B)📈 71.8%利润率(历史最高)
三星Q1存储营收$50.4B📈 DRAM $37B + NAND $13.4B
三星Q1存储利润$38B(KRW 57.2T)📈 7x Q1 2025
美光Q2 FY2026营收指引$33.5B📈 +260% YoY
美光Q2 Non-GAAP EPS$19.15📈 +81% 毛利率
DRAM Q2合约价预测+58-63% QoQ📈 TrendForce
NAND Q2合约价预测+70-75% QoQ📈 TrendForce
HBM3E 2026价格+20%(已签约)📈 三星/SK海力士
三星 +57%

3. 细分领域动态

3.1 SK海力士 —— HBM绝对领导者

核心变化: HBM3E供应NVIDIA H200/SGB200,Q1营收₩52.6万亿创历史记录,71.8%营业利润率刷新行业盈利天花板。

具体数据:

营收:₩52.5763万亿(+60% QoQ,+198% YoY)
营业利润:₩37.5万亿(+109% QoQ)
HBM3E 12-High已通过NVIDIA HBM3e认证,2026年产能已被预购至2027年

竞争影响: SK海力士在HBM3E市场领先三星约2个季度,其M10c/M12c DRAM产能优先供应HBM,导致标准DRAM供给收紧,进一步推升合约价。

3.2 三星电子 —— 存储收入王者,HBM追赶中

核心变化: Q1存储收入$50.4B,DRAM $37B + NAND $13.4B均创历史新高,但HBM3E认证进度落后SK海力士约2-3个季度。

具体数据:

三星Q1存储营业利润:约$38B(KRW 57.2万亿),7倍于Q1 2025
为NVIDIA H200/SGB200供应的HBM3E仍在认证中,预计2026H2改善
资本开支:2025年33万亿韩元(主要投入DRAM),NAND资本开支低于SK海力士

竞争影响: 三星Pyeongtaek工厂若爆发罢工(工会提出罢工威胁),可能迫使客户转向SK海力士和美光。HBM供应瓶颈使三星在AI服务器市场失去部分份额。

3.3 美光科技 —— 估值洼地,P/E仅6.5x

核心变化: FY2026指引P/E 6.5x,估值极具吸引力;AI数据中心eSSD需求是核心驱动力。

具体数据:

Q2 FY2026营收指引:$33.5B(+260% YoY)
Non-GAAP EPS:$19.15,81% 毛利率(历史高位)
2026年HBM产能已被预订一空
资本开支:$25B投资计划支撑产能扩张

竞争影响: 美光在HBM4研发上处于第三位(M24),但2026年HBM3E追赶中。在中国市场有特殊定位(为长江存储等提供非HBM DRAM)。

三足鼎立对比

公司Q1存储营收营业利润率HBM进展评级
-------------------------------------------
SK海力士₩52.6T(~$37B)71.8%HBM3E 12-High已量产强烈买入
三星电子$50.4B~75%(推算)HBM3E认证中买入
美光Q2指引$33.5B81%(指引)HBM4研发中强烈买入

4. 传导链追踪

当前周期位置:存储上行—产能利用率峰值期,距顶部约2-3季度(2026Q4-2027Q1预期)

核心传导链

AI服务器需求爆发(2025Q3-Q4) HBM产能满载,优先供应AI数据中心(2025Q4-2026Q1) 标准DRAM产能被压缩,合约价+58-63% QoQ(2026Q2) NAND产能转向eSSD,消费级NAND+70-75% QoQ(2026Q2) 入门手机/PC BOM上涨,规格下调潮(2026Q2-Q3) 消费电子需求观望,下行压力初现(2026Q3-Q4预期) 三星/SK海力士新产能开出(2026H2-2027H1) 供需平衡改善,价格压力缓解(2027Q1预期)

时滞说明:

AI服务器需求 → HBM涨价:即时(Q3触发)
HBM满载 → 标准DRAM涨价:1-2个季度(2026Q1显现)
DRAM涨价 → 消费电子BOM上涨:2-3个季度(2026Q2开始传导)
消费电子需求下调 → 存储厂商调整产能:3-4个季度(2026H2观察)

关键观察点: 三星/SK海力士正在大规模扩产(HBM产能+50%、资本开支翻4倍),但产能开出需12-18个月。当前供需缺口预计持续至2026年末,支撑存储价格高位运行。

5. Notable Quotes

"AI chip demand exceeds our manufacturing capacity — this structural shift is not a cycle, it's a new baseline."
— SK Hynix CEO,2026Q1财报电话会(Reuters,04/22/2026)
"We have essentially sold out of our entire HBM inventory through 2027."
— Dr. Jung-hyun Kwon,SVP of DRAM Planning,SK Hynix(2026Q1电话会)
"The memory market will exceed $440B in 2026, driven by AI server demand and HBM supercycle."
— SK Hynix 2026 Market Outlook(01/29/2026)
"We see no let-up in the supply-demand imbalance through at least 2027. Our NAND customers are committing to multi-year agreements."
— Micron CEO,Citi Investor Conference(03/2026)

6. 重要事件日历

• 04/22 [财报] SK海力士Q1 2026正式财报发布(已发布:营收₩52.6万亿,营业利润₩37.5万亿)
• 04/25 [财报] 三星电子Q1 2026初步财报(已发布:存储收入$50.4B)
• 05/01 [财报] 美光科技Q2 FY2026财报发布($33.5B营收指引)
• 05/12 [行业] TrendForce Q2内存价格展望(更新预测)
• 06/01 [财报] SK海力士Q2 2026前瞻
• 06/15 [投产] 三星平泽工厂P4扩产(HBM产能+50%目标)
• 07/01 [财报] 美光科技Q3 FY2026
• 08/01 [行业] Samsung/TSMC技术论坛(披露HBM4路线图)
• 09/01 [财报] SK海力士Q2 2026正式财报

7. 估值参考

公司代码P/E TTMForward P/E目标价评级来源
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SK海力士000660.KS~20x~14x₩280,000强烈买入高盛/摩根士丹利
三星电子005930.KS~12x~10x₩120,000买入三星证券
美光科技MU~15x~6.5x$130强烈买入摩根士丹利/Trefis

估值说明:

美光Forward P/E 6.5x FY2026,是三大厂商中最低估值
SK海力士HBM领先溢价,享有估值溢价(约14x)
三星电子因HBM进展落后,估值折价
MU目标价$130意味着+30%上涨空间(当前约$100)

关键催化剂: Q2 DRAM/NAND合约价超预期(+60-75%QoQ),HBM认证突破,AI数据中心capex持续。

8. 风险因素

🔴高可能:存储周期提前下行——三星/SK海力士扩产共振,2026H2可能出现供给过剩,DRAM价格松动提前至Q4。影响: 传音/小米Q4成本压力缓解,但MU/SK Hynix盈利下修15-20%
🔴高可能:三星平泽工厂罢工风险——工会威胁罢工,若发生将影响HBM产能,加剧AI服务器内存短缺。影响: NVIDIA H200交付延迟,利好SK海力士和美光
🔶中可能:中国智能手机市场需求低于预期——Q1中国手机出货量同比-10%,若Q2继续低迷,入门DRAM需求将进一步萎缩。影响: 消费级DRAM涨幅收窄(从+60%收窄至+40%),影响三星/美光消费业务
🟢低可能:HBM4认证超预期——三星若在2026H1通过NVIDIA HBM3e认证,将重塑竞争格局。影响: SK海力士溢价收窄,估值下修10-15%

免责声明: 本报告基于公开信息整理,仅供参考,不构成投资建议。数据截至2026年4月26日。